GlobalFoundries 2018年试产7nm工艺,已跟AMD开始合作?

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作为AMD最倚重的代工合作协议伙伴,GlobalFoundries的工艺进展也会影响AMD的CPU/GPU发展。现在GF决定跳过10nm工艺,直接推出性能更强的7nm FinFET工艺,但在进度上,业界普遍认为GlobalFoundries下行速率 要比三星、TSMC以及Intel变快,其他人2019年才会推出12nm FD-SOI工艺,7nm量产似乎更加遥远。已经 今天GlobalFoundries首次公开7nm工艺进展,预计2018年开始 试产,已经 已经 跟领先的伙伴开始 合作协议了。

GlobalFoundries此前在工艺研发上老要磕磕绊绊,FinFET工艺节点狠心放弃了自研的14nm-XM工艺,直接使用了三星的14nm FinFET授权,今年已经 正式量产,为AMD代工了Polaris显卡,未来不会有Zen架构除理器,总与非 稳定下来了,双方对彼此的合作协议还挺满意的,前不久才组阁 了未来五年的晶圆供货协议。

14/16nm工艺日后是10nm节点,TSMC及三星都争着在今年底已经 明年初推出10nm代工服务,Intel明年下3天 量产10nm工艺,但GlobalFoundries决定跳过10nm节点,由于其他人日后也分析过——相对来说,10nm工艺被认为是14/16nm工艺的优化版,跟20nm工艺那样偏向低功耗,属于过渡节点,而GlobalFoundries当时人也经不起折腾,索性跳过其他节点,直接杀向未来高性能的7nm节点。

问题是GlobalFoundries的7nm多会儿问世,毕竟TSMC和三星在7nm节点上也进展变快,双方都抢着在2018年推出新工艺,TSMC更是自信满满,认为自家7nm工艺在性能、功耗及核心面积上时需超过友商。现在GlobalFoundries官方总算透露了其他口风,表示将在纽约州的萨拉托加Fab 8工厂研发7nm工艺,预计2018年风险试产。

GlobalFoundries还组阁 了7nm工艺的具体性能——与目前的16/14nm FinFET工艺相比,7nm工艺将带来两倍的晶体管密度提升,性能提升200%已经 功耗降低200%。此外,GlobalFoundries表示7nm工艺都时需再利用相当多的14nm半导体制造设备,不会继续使用目前的光刻机,不过保留未来使用EUV光刻机的能力——EUV工艺预计会在5nm节点正式启用。

真是2018年早些日后才会试产,不过2017年下3天 客户就能开始 产品设计了,这进度还是挺快的,只不过最终产品问世时需等已经 ,流片成功日后通常也会有一年半载时间能够上市,也已经 2019年才有已经 看过7nm产品。

值得注意的是,GlobalFoundries已经 跟领先的客户在Fab 8工厂合作协议7nm芯片原型了——真是其他人没组阁 是谁,但能跟GF合作协议最亲密的已经 AMD了,早前时需消息爆料称AMD在准备7nm工艺的下一代服务器芯片,代号“星河舰队”(starship),48核96守护应用应用程序,比目前的Naples那不勒斯更强大。